RF4E080GNTR

Name: ROHM SEMICONDUCTOR RF4E080GNTR
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: RF4E080GNTR
Availability: InStock

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A; 2W; DFN2020-8S

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

RF4E080GNTR

Símbolo TME:

RF4E080GNTR

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.67 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.67 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.45 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.45 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.30 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.30 USD

Precio neto para cantidades a partir de 250 und - 0.25 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 250 und - 0.25 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.24 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.24 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und

Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	N-MOSFET
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	30V
Corriente del drenaje	8A
Corriente del drenaje en impulso	32A
Poder disipado	2W
Carcasa	DFN2020-8S
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	17,6mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	5,8nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido