RF4E110GNTR

Name: ROHM SEMICONDUCTOR RF4E110GNTR
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: RF4E110GNTR
Availability: OutOfStock

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 44A; 2W; DFN2020-8S

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

RF4E110GNTR

Símbolo TME:

RF4E110GNTR

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.53 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.53 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.38 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.38 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.31 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.31 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.26 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.25 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.25 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.

Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	N-MOSFET
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	30V
Corriente del drenaje	11A
Corriente del drenaje en impulso	44A
Poder disipado	2W
Carcasa	DFN2020-8S
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	11,3mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	7,4nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido