RQ3E080BNTB

Name: ROHM SEMICONDUCTOR RQ3E080BNTB
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: RQ3E080BNTB
Availability: OutOfStock

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 32A; 14W; HSMT8

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

RQ3E080BNTB

Símbolo TME:

RQ3E080BNTB

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.64 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.64 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.40 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.40 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.26 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.20 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.20 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.18 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.18 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.16 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.16 USD

Precio neto para cantidades a partir de 6000 und - 0.15 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 6000 und - 0.15 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.

Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	N-MOSFET
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	30V
Corriente del drenaje	5A
Corriente del drenaje en impulso	32A
Poder disipado	14W
Carcasa	HSMT8
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	22mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	14,5nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido