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RS1E280BNTB

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 112A; 30W; HSOP8


El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
RS1E280BNTB
Símbolo TME:
RS1E280BNTB

Especificación

Fabricante
ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor
N-MOSFET
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
30V
Corriente del drenaje
80A
Corriente del drenaje en impulso
112A
Poder disipado
30W
Carcasa
HSOP8
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
3,2mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
94nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.1 g
Certificados

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RS1E280BNTB
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