SCT012H90G3AG
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 110A; Idm: 454A; 625W
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
SCT012H90G3AG
Símbolo TME:
SCT012H90G3AG
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 900V | |
Corriente del drenaje | 110A | |
Corriente del drenaje en impulso | 454A | |
Poder disipado | 625W | |
Carcasa | H2PAK7 | |
Tensión puerta-fuente | -10...22V | |
Resistencia en estado de transferencia | 15,8mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 138nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido | |
Propiedades de elementos semiconductores | derivación Kelvin |
Peso bruto1 g
Certificados
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* SCT012H90G3AGNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 42.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 42.26 USD