SCT018H65G3AG
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 55A; Idm: 312A; 385W
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
SCT018H65G3AG
Símbolo TME:
SCT018H65G3AG
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 650V | |
Corriente del drenaje | 55A | |
Corriente del drenaje en impulso | 312A | |
Poder disipado | 385W | |
Carcasa | H2PAK7 | |
Tensión puerta-fuente | -10...22V | |
Resistencia en estado de transferencia | 27mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 79,4nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido | |
Propiedades de elementos semiconductores | derivación Kelvin |
Peso bruto1 g
Certificados
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* SCT018H65G3AGNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 18.07 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 18.07 USD