SCT018W65G3-4AG
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 55A; Idm: 323A; 398W
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
SCT018W65G3-4AG
Símbolo TME:
SCT018W65G3-4AG
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 650V | |
Corriente del drenaje | 55A | |
Corriente del drenaje en impulso | 323A | |
Poder disipado | 398W | |
Carcasa | HIP247-4 | |
Tensión puerta-fuente | -10...22V | |
Resistencia en estado de transferencia | 27mΩ | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 77nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido | |
Propiedades de elementos semiconductores | derivación Kelvin | |
Uso | rama automotriz |
Peso bruto5 g
Certificados
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* SCT018W65G3-4AGNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 20.19 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 20.19 USD