SCT040W120G3AG
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 40A; Idm: 179A; 312W
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
SCT040W120G3AG
Símbolo TME:
SCT040W120G3AG
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | |
Corriente del drenaje | 40A | |
Corriente del drenaje en impulso | 179A | |
Poder disipado | 312W | |
Carcasa | HIP247™ | |
Tensión puerta-fuente | -10...22V | |
Resistencia en estado de transferencia | 54mΩ | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 56nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido | |
Uso | rama automotriz |
Peso bruto5 g
Certificados
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* SCT040W120G3AGNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 14.88 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 14.88 USD