SCT1000N170
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 7A; Idm: 20A; 96W
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
SCT1000N170
Símbolo TME:
SCT1000N170
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 1,7kV | |
Corriente del drenaje | 7A | |
Corriente del drenaje en impulso | 20A | |
Poder disipado | 96W | |
Carcasa | HIP247™ | |
Tensión puerta-fuente | -10...22V | |
Resistencia en estado de transferencia | 1,3Ω | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 13,3nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto5.3 g
Certificados
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* SCT1000N170Número de unidades (Multiplicidad: 1)
23 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 8.79 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 8.79 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 7.85 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 7.85 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 7.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 7.26 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 7.01 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 7.01 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und