SCT10N120AG
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 10A; Idm: 24A; 150W
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
SCT10N120AG
Símbolo TME:
SCT10N120AG
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | |
Corriente del drenaje | 10A | |
Corriente del drenaje en impulso | 24A | |
Poder disipado | 150W | |
Carcasa | HIP247™ | |
Tensión puerta-fuente | -10...25V | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,58Ω | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 22nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido | |
Uso | rama automotriz |
Peso bruto5.39 g
Certificados
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* SCT10N120AGNúmero de unidades (Multiplicidad: 600)
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Precio neto para cantidades a partir de 600 und - 4.90 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 600 und - 4.90 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und