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El productor: ROHM SEMICONDUCTOR
Fabricante | ROHM SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 650V | |
Corriente del drenaje | 118A | |
Corriente del drenaje en impulso | 295A | |
Poder disipado | 428W | |
Carcasa | TO247 | |
Tensión puerta-fuente | -4...22V | |
Resistencia en estado de transferencia | 22,1mΩ | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 172nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido |