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SCT3030ALGC11

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W


El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
SCT3030ALGC11
Símbolo TME:
SCT3030ALGC11

Especificación

Fabricante
ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
SiC
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
650V
Corriente del drenaje
70A
Corriente del drenaje en impulso
175A
Poder disipado
262W
Carcasa
TO247
Tensión puerta-fuente
-4...22V
Resistencia en estado de transferencia
39mΩ
Montaje
THT
Carga de puerta
104nC
Clase de empaquetado
tubo
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto3 g
Certificados
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SCT3030ALGC11
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