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SCT3080ALGC11

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W; TO247

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
SCT3080ALGC11
Símbolo TME:
SCT3080ALGC11

Especificación

Fabricante
ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
SiC
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
650V
Corriente del drenaje
30A
Corriente del drenaje en impulso
75A
Poder disipado
134W
Carcasa
TO247
Tensión puerta-fuente
-4...22V
Resistencia en estado de transferencia
0,104Ω
Montaje
THT
Carga de puerta
48nC
Clase de empaquetado
tubo
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto3 g
Certificados
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SCT3080ALGC11
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