SCT30N120
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
SCT30N120
Símbolo TME:
SCT30N120
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC, SiCFET | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | |
Corriente del drenaje | 34A | |
Corriente del drenaje en impulso | 90A | |
Poder disipado | 270W | |
Carcasa | HIP247™ | |
Tensión puerta-fuente | -10...25V | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,1Ω | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 105nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto4.437 g
Certificados
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* SCT30N120Número de unidades (Multiplicidad: 1)
4 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 20.70 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 20.70 USD
El producto está disponible hasta fin de existencias
Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und