+1 500 000 productos en oferta

7000 paquetes cada día

+300 000 clientes de 150 países

Quick Buy Favoritos
Carrito

SCT3120ALGC11

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 21A; Idm: 52A; 103W; TO247


El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
SCT3120ALGC11
Símbolo TME:
SCT3120ALGC11

Especificación

Fabricante
ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
SiC
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
650V
Corriente del drenaje
21A
Corriente del drenaje en impulso
52A
Poder disipado
103W
Carcasa
TO247
Tensión puerta-fuente
-4...22V
Resistencia en estado de transferencia
156mΩ
Montaje
THT
Carga de puerta
38nC
Clase de empaquetado
tubo
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto3 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores con canal N THT ROHM SEMICONDUCTOR,
*
SCT3120ALGC11
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 9.49 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 9.49 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 8.83 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 8.83 USD
Precio neto para cantidades a partir de 6 und - 8.15 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 6 und - 8.15 USD
Precio neto para cantidades a partir de 12 und - 7.78 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 12 und - 7.78 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.