SCT50N120
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 50A; Idm: 130A; 318W
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
SCT50N120
Símbolo TME:
SCT50N120
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC, SiCFET | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | |
Corriente del drenaje | 50A | |
Corriente del drenaje en impulso | 130A | |
Poder disipado | 318W | |
Carcasa | HIP247™ | |
Tensión puerta-fuente | -10...25V | |
Resistencia en estado de transferencia | 70mΩ | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 122nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto4.44 g
Certificados
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* SCT50N120Número de unidades (Multiplicidad: 1)
48 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 28.19 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 28.19 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 26.97 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 26.97 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 25.66 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 25.66 USD
Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 25.65 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 25.65 USD
El producto está disponible hasta fin de existencias
Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und