SCTL35N65G2V
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 40A; Idm: 160A; 417W
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
SCTL35N65G2V
Símbolo TME:
SCTL35N65G2V
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 650V | |
Corriente del drenaje | 40A | |
Corriente del drenaje en impulso | 160A | |
Poder disipado | 417W | |
Carcasa | PowerFLAT 8x8 | |
Tensión puerta-fuente | -10...22V | |
Resistencia en estado de transferencia | 67mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 73nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto1 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores con canal N SMD STMicroelectronics,
* SCTL35N65G2VNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 15.56 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 15.56 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 14.53 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 14.53 USD