SCTL90N65G2V
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 40A; Idm: 160A; 935W
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
SCTL90N65G2V
Símbolo TME:
SCTL90N65G2V
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 650V | |
Corriente del drenaje | 40A | |
Corriente del drenaje en impulso | 160A | |
Poder disipado | 935W | |
Carcasa | PowerFLAT 8x8 | |
Tensión puerta-fuente | -10...22V | |
Resistencia en estado de transferencia | 24mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 157nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto1 g
Certificados
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* SCTL90N65G2VNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 39.97 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 39.97 USD