SCTW100N65G2AG
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 280A; 420W
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
SCTW100N65G2AG
Símbolo TME:
SCTW100N65G2AG
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 650V | |
Corriente del drenaje | 100A | |
Corriente del drenaje en impulso | 280A | |
Poder disipado | 420W | |
Carcasa | HIP247™ | |
Tensión puerta-fuente | -10...22V | |
Resistencia en estado de transferencia | 26mΩ | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 162nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido | |
Uso | rama automotriz |
Peso bruto5 g
Certificados
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* SCTW100N65G2AGNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 39.80 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 39.80 USD