SCTW35N65G2V
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
SCTW35N65G2V
Símbolo TME:
SCTW35N65G2V
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 650V | |
Corriente del drenaje | 45A | |
Corriente del drenaje en impulso | 90A | |
Poder disipado | 240W | |
Carcasa | HIP247™ | |
Tensión puerta-fuente | -10...22V | |
Resistencia en estado de transferencia | 68mΩ | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 73nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto5.38 g
Certificados
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* SCTW35N65G2VNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
28 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 10.74 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 10.74 USD
Precio neto para cantidades a partir de 600 und - 9.37 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 600 und - 9.37 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und