SCTWA30N120
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
SCTWA30N120
Símbolo TME:
SCTWA30N120
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SiC | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | |
Corriente del drenaje | 34A | |
Corriente del drenaje en impulso | 90A | |
Poder disipado | 270W | |
Carcasa | HIP247™ | |
Tensión puerta-fuente | -10...22V | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,1Ω | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 105nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto6.06 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores con canal N THT STMicroelectronics,
* SCTWA30N120Número de unidades (Multiplicidad: 1)
1 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 41.92 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 41.92 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 37.74 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 37.74 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 33.33 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 33.33 USD
Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 29.96 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 29.96 USD
El producto está disponible hasta fin de existencias
Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und