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El productor: ROHM SEMICONDUCTOR
Fabricante | ROHM SEMICONDUCTOR | |
Tipo de transistor | P-MOSFET x2 | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | -40V | |
Corriente del drenaje | -8,5A | |
Corriente del drenaje en impulso | -34A | |
Poder disipado | 2W | |
Carcasa | SO8 | |
Tensión puerta-fuente | ±20V | |
Resistencia en estado de transferencia | 18,7mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 51nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido | |
Versión | ESD |