SH8K11GZETB

Name: ROHM SEMICONDUCTOR SH8K11GZETB
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: SH8K11GZETB
Availability: OutOfStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 3,5A; Idm: 14A; 2W; SOP8; ESD

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

SH8K11GZETB

Símbolo TME:

SH8K11GZETB

Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 0.36 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 0.36 USD

Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 0.34 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 0.34 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.30 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.30 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.27 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.27 USD

Precio neto para cantidades a partir de 2500 und - 0.25 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 2500 und - 0.25 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Cantidad mínima a pedir: 3.
Multiplicidad: 1.

Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	30V
Corriente del drenaje	3,5A
Corriente del drenaje en impulso	14A
Poder disipado	2W
Carcasa	SOP8
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	0,14Ω
Montaje	SMD
Carga de puerta	1,9nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido
Versión	ESD