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SH8K39GZETB

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 13A; Idm: 30A; 5,8W; SOP8

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
SH8K39GZETB
Símbolo TME:
SH8K39GZETB

Especificación

Fabricante
ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor
N-MOSFET x2
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
60V
Corriente del drenaje
13A
Corriente del drenaje en impulso
30A
Poder disipado
5,8W
Carcasa
SOP8
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
30mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
25nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Versión
ESD
Peso bruto0.1 g
Certificados

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