SH8K41GZETB

Name: ROHM SEMICONDUCTOR SH8K41GZETB
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: SH8K41GZETB
Availability: OutOfStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 3,4A; Idm: 13,6A; 2W; SOP8

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

SH8K41GZETB

Símbolo TME:

SH8K41GZETB

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 1.36 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1.36 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.86 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.86 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.57 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.57 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.45 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.45 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.43 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.43 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	80V
Corriente del drenaje	3,4A
Corriente del drenaje en impulso	13,6A
Poder disipado	2W
Carcasa	SOP8
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	0,16Ω
Montaje	SMD
Carga de puerta	12nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido
Versión	ESD