SH8KA2GZETB

Name: ROHM SEMICONDUCTOR SH8KA2GZETB
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: SH8KA2GZETB
Availability: OutOfStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8A; Idm: 16A; 2,8W; SOP8; ESD

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

SH8KA2GZETB

Símbolo TME:

SH8KA2GZETB

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 1.57 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1.57 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 1.10 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 1.10 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.79 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.79 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.63 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.63 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.58 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.58 USD

Precio neto para cantidades a partir de 2500 und - 0.52 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 2500 und - 0.52 USD

Precio neto para cantidades a partir de 5000 und - 0.48 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5000 und - 0.48 USD

Precio neto para cantidades a partir de 7500 und - 0.46 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 7500 und - 0.46 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	30V
Corriente del drenaje	8A
Corriente del drenaje en impulso	16A
Poder disipado	2,8W
Carcasa	SOP8
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	43mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	8nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido
Versión	ESD