+1 500 000 productos en oferta

7000 paquetes cada día

+300 000 clientes de 150 países

Quick Buy Favoritos
Carrito

SH8KA7GZETB

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 15A; Idm: 30A; 4,6W; SOP8

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
SH8KA7GZETB
Símbolo TME:
SH8KA7GZETB

Especificación

Fabricante
ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor
N-MOSFET x2
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
30V
Corriente del drenaje
15A
Corriente del drenaje en impulso
30A
Poder disipado
4,6W
Carcasa
SOP8
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
10,9mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
81nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Versión
ESD
Peso bruto0.1 g
Certificados

VEA EL VIDEO

Consulta otros productos en esta categoría: Transistores multicanal ROHM SEMICONDUCTOR,
*
SH8KA7GZETB
0 en stock en TME
Número de unidades (Multiplicidad: 2 500)
Producto a pedido especial