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SH8M51GZETB

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 3/-2,5A; Idm: 10÷12A

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
SH8M51GZETB
Símbolo TME:
SH8M51GZETB

Especificación

Fabricante
ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor
N/P-MOSFET
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
100/-100V
Corriente del drenaje
3/-2,5A
Corriente del drenaje en impulso
10...12A
Poder disipado
2W
Carcasa
SOP8
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
190/340mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
8,5/12,5nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.1 g
Certificados

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