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SH8MA4TB1

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 9/-8,5A; Idm: 18A; 3W

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
SH8MA4TB1
Símbolo TME:
SH8MA4TB1

Especificación

Fabricante
ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor
N/P-MOSFET
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
30/-30V
Corriente del drenaje
9/-8,5A
Corriente del drenaje en impulso
18A
Poder disipado
3W
Carcasa
SOP8
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
32,5/41,3mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
15,5/19,6nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.1 g
Certificados

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SH8MA4TB1
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