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SH8MB5TB1

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 8,5/-8,5A; Idm: 34A; 2W

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
SH8MB5TB1
Símbolo TME:
SH8MB5TB1

Especificación

Fabricante
ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor
N/P-MOSFET
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
40/-40V
Corriente del drenaje
8,5/-8,5A
Corriente del drenaje en impulso
34A
Poder disipado
2W
Carcasa
SOP8
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
26/21mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
10,6/51nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.1 g
Certificados

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SH8MB5TB1
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