SI1024X-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0,515A; 0,28W
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SI1024X-T1-GE3
Símbolo TME:
SI1024X-T1-GE3
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 20V | |
Corriente del drenaje | 0,515A | |
Corriente del drenaje en impulso | 0,65A | |
Poder disipado | 0,28W | |
Carcasa | SC89, SOT563 | |
Tensión puerta-fuente | ±6V | |
Resistencia en estado de transferencia | 1,25Ω | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 0,75nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.1 g
Certificados
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* SI1024X-T1-GE3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.85 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.85 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.54 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.54 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.35 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.35 USD
Precio neto para cantidades a partir de 250 und - 0.30 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 250 und - 0.30 USD
Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.27 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.27 USD
Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.24 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.24 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.21 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.21 USD
Precio neto para cantidades a partir de 21000 und - 0.19 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 21000 und - 0.19 USD