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Fabricante	VISHAY
Tipo de transistor	N/P-MOSFET
Tecnología	TrenchFET®
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	30/-30V
Corriente del drenaje	0,7/-0,5A
Poder disipado	0,34W
Carcasa	SC70-6, SOT363
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	1,7Ω/525mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	3/1,5nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido

SI1539CDL-T1-GE3

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 0,7/-0,5A

Especificación