SI1902CDL-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0,9A; 0,27W; SC70-6,SOT363
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SI1902CDL-T1-GE3
Símbolo TME:
SI1902CDL-T1-GE3
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 20V | |
Corriente del drenaje | 0,9A | |
Poder disipado | 0,27W | |
Carcasa | SC70-6, SOT363 | |
Tensión puerta-fuente | ±12V | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,235Ω | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 2nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.021 g
Certificados
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* SI1902CDL-T1-GE3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
2836 en stock en TME
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Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und