SI1967DH-T1-E3
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1,3A; 1,25W
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SI1967DH-T1-E3
Símbolo TME:
SI1967DH-T1-E3
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | P-MOSFET x2 | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | -20V | |
Corriente del drenaje | -1,3A | |
Corriente del drenaje en impulso | -3A | |
Poder disipado | 1,25W | |
Carcasa | SC70-6, SOT363 | |
Tensión puerta-fuente | ±8V | |
Resistencia en estado de transferencia | 790mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 4nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.1 g
Certificados
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* SI1967DH-T1-E3Número de unidades (Multiplicidad: 3 000)
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