SI3473DDV-T1-GE3
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -30A
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SI3473DDV-T1-GE3
Símbolo TME:
SI3473DDV-T1-GE3
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | P-MOSFET | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | -12V | |
Corriente del drenaje | -8A | |
Corriente del drenaje en impulso | -30A | |
Poder disipado | 3,6W | |
Carcasa | SC74, TSOP6 | |
Tensión puerta-fuente | ±8V | |
Resistencia en estado de transferencia | 38,8mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 57nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.1 g
Certificados
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* SI3473DDV-T1-GE3Número de unidades (Multiplicidad: 3 000)
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Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.17 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.17 USD
Precio neto para cantidades a partir de 9000 und - 0.16 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 9000 und - 0.16 USD