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Fabricante	VISHAY
Tipo de transistor	N/P-MOSFET
Tecnología	TrenchFET®
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	30/-30V
Corriente del drenaje	2,5/-1,8A
Corriente del drenaje en impulso	-7...8A
Poder disipado	1,15W
Carcasa	SC74, TSOP6
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	360/175mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	3,6/3,2nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido

SI3552DV-T1-E3

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2,5/-1,8A

Especificación