SI3552DV-T1-E3
Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2,5/-1,8A
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SI3552DV-T1-E3
Símbolo TME:
SI3552DV-T1-E3
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | N/P-MOSFET | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 30/-30V | |
Corriente del drenaje | 2,5/-1,8A | |
Corriente del drenaje en impulso | -7...8A | |
Poder disipado | 1,15W | |
Carcasa | SC74, TSOP6 | |
Tensión puerta-fuente | ±20V | |
Resistencia en estado de transferencia | 360/175mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 3,6/3,2nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.029 g
Certificados
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* SI3552DV-T1-E3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
20 en stock en TME
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Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 0.96 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 0.96 USD
Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 0.69 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 0.69 USD
Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.59 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.59 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.50 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.50 USD
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Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.37 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.37 USD
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Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und