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SI3585CDV-T1-GE3

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 3,1/-1,7A

El productor: VISHAY

Denominación de fabricante:
SI3585CDV-T1-GE3
Símbolo TME:
SI3585CDV-T1-GE3

Especificación

Fabricante
VISHAY
Tipo de transistor
N/P-MOSFET
Tecnología
TrenchFET®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
20/-20V
Corriente del drenaje
3,1/-1,7A
Poder disipado
0,9/8W
Carcasa
SC74, TSOP6
Tensión puerta-fuente
±12V
Resistencia en estado de transferencia
78/316mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
4,8/9nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.028 g
Certificados

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SI3585CDV-T1-GE3
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Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und