SI3585CDV-T1-GE3
Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 3,1/-1,7A
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SI3585CDV-T1-GE3
Símbolo TME:
SI3585CDV-T1-GE3
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | N/P-MOSFET | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 20/-20V | |
Corriente del drenaje | 3,1/-1,7A | |
Poder disipado | 0,9/8W | |
Carcasa | SC74, TSOP6 | |
Tensión puerta-fuente | ±12V | |
Resistencia en estado de transferencia | 78/316mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 4,8/9nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.028 g
Certificados
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* SI3585CDV-T1-GE3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
3984 en stock en TME
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Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.42 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.42 USD
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Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.26 USD
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Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und