SI4900DY-T1-E3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 5,3A; Idm: 20A
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SI4900DY-T1-E3
Símbolo TME:
SI4900DY-T1-E3
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 60V | |
Corriente del drenaje | 5,3A | |
Corriente del drenaje en impulso | 20A | |
Poder disipado | 3,1W | |
Carcasa | SO8 | |
Tensión puerta-fuente | ±20V | |
Resistencia en estado de transferencia | 72mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 20nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.1 g
Certificados
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* SI4900DY-T1-E3Número de unidades (Multiplicidad: 2 500)
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