SI4925BDY-T1-E3
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5,7A; 2W; SO8
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SI4925BDY-T1-E3
Símbolo TME:
SI4925BDY-T1-E3
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | P-MOSFET x2 | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | -30V | |
Corriente del drenaje | -5,7A | |
Poder disipado | 2W | |
Carcasa | SO8 | |
Tensión puerta-fuente | ±20V | |
Resistencia en estado de transferencia | 41mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 50nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto1 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores multicanal VISHAY,
* SI4925BDY-T1-E3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 1.46 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1.46 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 1.16 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 1.16 USD
Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 1.04 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 1.04 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.96 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.96 USD
Precio neto para cantidades a partir de 250 und - 0.83 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 250 und - 0.83 USD
Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.78 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.78 USD
Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.74 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.74 USD
Precio neto para cantidades a partir de 2500 und - 0.72 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 2500 und - 0.72 USD