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SI4936BDY-T1-E3

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6,9A; Idm: 30A

El productor: VISHAY

Denominación de fabricante:
SI4936BDY-T1-E3
Símbolo TME:
SI4936BDY-T1-E3

Especificación

Fabricante
VISHAY
Tipo de transistor
N-MOSFET x2
Tecnología
TrenchFET®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
30V
Corriente del drenaje
6,9A
Corriente del drenaje en impulso
30A
Poder disipado
2,8W
Carcasa
SO8
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
51mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
15nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.1 g
Certificados
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SI4936BDY-T1-E3
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