SI4943BDY-T1-E3
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8,4A; 2W; SO8
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SI4943BDY-T1-E3
Símbolo TME:
SI4943BDY-T1-E3
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | P-MOSFET x2 | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | -20V | |
Corriente del drenaje | -8,4A | |
Corriente del drenaje en impulso | -30A | |
Poder disipado | 2W | |
Carcasa | SO8 | |
Tensión puerta-fuente | ±20V | |
Resistencia en estado de transferencia | 31mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 25nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.1 g
Certificados
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* SI4943BDY-T1-E3Número de unidades (Multiplicidad: 2 500)
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