SI5515CDC-T1-E3
Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 4/-4A; 3,1W
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SI5515CDC-T1-E3
Símbolo TME:
SI5515CDC-T1-E3
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | N/P-MOSFET | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 20/-20V | |
Corriente del drenaje | 4/-4A | |
Poder disipado | 3,1W | |
Carcasa | ChipFET8 | |
Tensión puerta-fuente | ±8V | |
Resistencia en estado de transferencia | 156/50mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 11/11,3nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carcasa - cal | 1206 | |
Carcasa - mm | 3216 |
Peso bruto0.001 g
Certificados
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* SI5515CDC-T1-E3Número de unidades (Multiplicidad: 3 000)
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