SI5935CDC-T1-GE3
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -10A
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SI5935CDC-T1-GE3
Símbolo TME:
SI5935CDC-T1-GE3
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | P-MOSFET x2 | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | -20V | |
Corriente del drenaje | -4A | |
Corriente del drenaje en impulso | -10A | |
Poder disipado | 2W | |
Carcasa | ChipFET8 | |
Tensión puerta-fuente | ±8V | |
Resistencia en estado de transferencia | 156mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 11nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carcasa - cal | 1206 | |
Carcasa - mm | 3216 |
Peso bruto0.025 g
Certificados
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* SI5935CDC-T1-GE3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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