SI6926ADQ-T1-E3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 3,6A; Idm: 20A
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SI6926ADQ-T1-E3
Símbolo TME:
SI6926ADQ-T1-E3
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 20V | |
Corriente del drenaje | 3,6A | |
Corriente del drenaje en impulso | 20A | |
Poder disipado | 1W | |
Carcasa | TSSOP8 | |
Tensión puerta-fuente | ±8V | |
Resistencia en estado de transferencia | 43mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 10,5nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.255 g
Certificados
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* SI6926ADQ-T1-E3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 1.22 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 1.22 USD
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