Name: VISHAY SI7212DN-T1-E3
Brand: VISHAY
SKU: SI7212DN-T1-E3
Availability: OutOfStock

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Fabricante	VISHAY
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Tecnología	TrenchFET®
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	30V
Corriente del drenaje	6,8A
Corriente del drenaje en impulso	20A
Poder disipado	2,6W
Carcasa	PowerPAK® 1212-8
Tensión puerta-fuente	±12V
Resistencia en estado de transferencia	39mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	11nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido

SI7212DN-T1-E3

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6,8A; Idm: 20A

Especificación