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SI7220DN-T1-GE3

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4,8A; Idm: 20A

El productor: VISHAY

Denominación de fabricante:
SI7220DN-T1-GE3
Símbolo TME:
SI7220DN-T1-GE3

Especificación

Fabricante
VISHAY
Tipo de transistor
N-MOSFET x2
Tecnología
TrenchFET®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
60V
Corriente del drenaje
4,8A
Corriente del drenaje en impulso
20A
Poder disipado
2,6W
Carcasa
PowerPAK® 1212-8
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
75mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
20nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.1 g
Certificados
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SI7220DN-T1-GE3
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