SI7252DP-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 29,2A; 29W
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SI7252DP-T1-GE3
Símbolo TME:
SI7252DP-T1-GE3
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 100V | |
Corriente del drenaje | 29,2A | |
Corriente del drenaje en impulso | 80A | |
Poder disipado | 29W | |
Carcasa | PowerPAK® SO8 | |
Tensión puerta-fuente | ±20V | |
Resistencia en estado de transferencia | 21mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 27nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto1 g
Certificados
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* SI7252DP-T1-GE3Número de unidades (Multiplicidad: 3 000)
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