SI7288DP-T1-GE3

Name: VISHAY SI7288DP-T1-GE3
Brand: VISHAY
SKU: SI7288DP-T1-GE3
Availability: InStock

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20A; Idm: 50A

El productor: VISHAY

Denominación de fabricante:

SI7288DP-T1-GE3

Símbolo TME:

SI7288DP-T1-GE3

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 2.07 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 2.07 USD

Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 1.76 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 1.76 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 1.55 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 1.55 USD

Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 1.09 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 1.09 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.95 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.95 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.84 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.84 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.

Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und

Fabricante	VISHAY
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Tecnología	TrenchFET®
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	40V
Corriente del drenaje	20A
Corriente del drenaje en impulso	50A
Poder disipado	15,6W
Carcasa	PowerPAK® SO8
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	22mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	15nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido