SI7900AEDN-T1-E3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 8,5A; Idm: 30A
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SI7900AEDN-T1-E3
Símbolo TME:
SI7900AEDN-T1-E3
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 20V | |
Corriente del drenaje | 8,5A | |
Corriente del drenaje en impulso | 30A | |
Poder disipado | 3,1W | |
Carcasa | PowerPAK® 1212-8 | |
Tensión puerta-fuente | ±12V | |
Resistencia en estado de transferencia | 36mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 16nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.1 g
Certificados
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