Name: VISHAY SI7922DN-T1-E3
Brand: VISHAY
SKU: SI7922DN-T1-E3
Availability: OutOfStock

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Fabricante	VISHAY
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Tecnología	TrenchFET®
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	100V
Corriente del drenaje	2,5A
Corriente del drenaje en impulso	10A
Poder disipado	2,6W
Carcasa	PowerPAK® 1212-8
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	0,23Ω
Montaje	SMD
Carga de puerta	8nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido

SI7922DN-T1-E3

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 2,5A; Idm: 10A

Especificación